人教版数学二年级上册《乘加乘减练习课》教学课件.ppt
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1、设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,实验二频率特性研究,1、求静态工作点:,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,3、试计算它源电压增益的上限频率;,4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。,解:,设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,实验二频率特性研究,1、求静态工作点,,解:,模型参数为,实验二频率特性研究,设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,实验二频率特性研究,解:,增益用分贝数表示,3、试计算它源电压增益的上限频率;,实验二频率特性研究,解:,所以该电路源电压增益的下限频
2、率为,实验二频率特性研究,4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。,解:,1.N沟道增强型MOSFET的结构,L:沟道长度,W:沟道宽度,tox:绝缘层厚度,人的头发直径,【小数据】,结构示意图,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,剖面图,符号,实际的N沟道增强型MOSFET结构剖面图,代表符号,1.N沟道增强型MOSFET的结构,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,2.工作原理,(1)vGS对沟道的控制作用,vGS=0,0vGS VT,VT vGS,vGS越大,导电沟道越厚,VT 称为开启电压,反型层,d、s间加电压后,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,vGS,电场,沟道,将有电流产
3、生,有,无,有,有,无,无,无电流,无电流,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,vDS由0逐渐增大,ID也由0逐渐增大,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,A、什么叫预夹断,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,当vDS增加到使 时,在紧靠漏极处出现预夹断。,预夹断后,继续增加vDS,B、预夹断后MOSFET如何进入饱和区,夹断区延长,ID基本不变,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,S,G,D,G,G,G,G,G,D,D,D,夹断演示,(3)vDS和vGS同时作用时,vDS一