(场效应管)1汇编课件.ppt

时间:2023-1-10 作者:791650988

人教版数学二年级上册《乘加乘减练习课》教学课件.ppt

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1、设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,实验二频率特性研究,1、求静态工作点:,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,3、试计算它源电压增益的上限频率;,4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。,解:,设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,实验二频率特性研究,1、求静态工作点,,解:,模型参数为,实验二频率特性研究,设共射放大电路在室温下运行,其参数为:,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,2、试计算它的中频源电压增益,并用分贝数表示;,实验二频率特性研究,解:,增益用分贝数表示,3、试计算它源电压增益的上限频率;,实验二频率特性研究,解:,所以该电路源电压增益的下限频

2、率为,实验二频率特性研究,4、忽略 试计算它源电压增益的下限频率。,解:,1.N沟道增强型MOSFET的结构,L:沟道长度,W:沟道宽度,tox:绝缘层厚度,人的头发直径,【小数据】,结构示意图,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,剖面图,符号,实际的N沟道增强型MOSFET结构剖面图,代表符号,1.N沟道增强型MOSFET的结构,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,2.工作原理,(1)vGS对沟道的控制作用,vGS=0,0vGS VT,VT vGS,vGS越大,导电沟道越厚,VT 称为开启电压,反型层,d、s间加电压后,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,vGS,电场,沟道,将有电流产

3、生,有,无,有,有,无,无,无电流,无电流,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,vDS由0逐渐增大,ID也由0逐渐增大,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,A、什么叫预夹断,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,当vDS增加到使 时,在紧靠漏极处出现预夹断。,预夹断后,继续增加vDS,B、预夹断后MOSFET如何进入饱和区,夹断区延长,ID基本不变,(2)可变电阻区和饱和区的形成机制,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,S,G,D,G,G,G,G,G,D,D,D,夹断演示,(3)vDS和vGS同时作用时,vDS一

4、定,不同的vGS,对应不同的iD,给定一个vGS,就有一条不同的 iD vDS 曲线。,2.工作原理,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,沟道中只有一种类型的载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管。,MOSFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。,预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。,为什么MOSFET的输入电阻比BJT高得多?,MOSFET栅极与沟道间有绝缘层,因此iG0,输入电阻很高。,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,(1)输出特性,vGSVT,导电沟道尚未形成,iD0,3.V-I特性曲线及大信号特性方程,截

5、止区:,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,3.V-I特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性,可变电阻区:,本征导电因子:,反型层中电子迁移率:,栅极氧化层单位面积电容:,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,可变电阻区,在特性曲线原点附近,vDS很小,进而忽略:,输出电阻(原点附近):,3.V-I特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,饱和区:,预夹断临界条件:,3.V-I特性曲线及大信号特性方程(1)输出特性,转移特性,3.V-I特性曲线及大信号特性方程,4.1.1 N沟道增强型MOSFET,输入特性,输出特性,转移特性,BJT,MOSFET,类别,

6、符号,比较BJT(NPN)和MOSFET(E型NMOS),填写下表,主要不同点,栅极不通,1,区域定义不同,2,BJT电流控制,3,MOSFET电压控制,4.1.4 沟道长度调制效应,实际MOS管在饱和区的输出特性曲线考虑vDS对沟道长度L的调制作用:vDS增加,iD也相应地增加。,1、沟道长度调制效应,4.1.4 沟道长度调制效应,典型器件:,以NMOS增强型为例:,沟道长度调制参数对输出特性公式的修正:,1、沟道长度调制效应,4.1.5 MOSFET的主要参数,三、交流参数,N沟道增强型MOSFET为例(不考虑沟道长度调制效应):,输出电阻:,低频互导:单位mS(毫西门子),4.2.1 MOSFET基本共源极放大电路,1.直流偏置及静态工作点的计算,(1)简单的共源极放大电路(N沟道),直流通路,共源极放大电路,假设工作在饱和区,则漏极电流为,满足,解:,例题,设Rg1=75k,Rg2=50k,Rd=30k,,试计算电路的栅源电压VGS和漏源电压VDS。,VDD=5V,VT=1V,,漏源电压为,假设成立,结果即为所求。,2.图解分析,由于负载开路,交流负载线与直流负载线相同,4.2

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