模拟电子技术基础全套课件634p.ppt（634页）

秘书学概论全套课件.ppt（144页）

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1、多媒体教学课件,模拟电子技术基础Fundamentals of Analog Electronics童诗白、华成英主编,1.成绩评定标准,理论：平时成绩30作业、期中考、考勤、提问 等 期末考试70%,2.教学参考书,康华光主编，电子技术基础 模拟部分 第三版，高教出版社,童诗白主编，模拟电子技术基础 第二版，高教出版社,陈大钦主编，模拟电子技术基础问答：例题 试题，华工出版社,前言,第四版童诗白,目录,第三版童诗白,第一章 常用半导体器件,1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6集成电路中的元件,第三版童诗白,本

2、章重点和考点：,1.二极管的单向导电性、稳压管的原理。,2.三极管的电流放大原理，如何判断三极管的管型、管脚和管材。,3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。,第三版童诗白,本章讨论的问题：,2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？,3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？,4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？,5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？,1.为什么采用半导体材料制作电子器件？,1.1 半导体的基础知

3、识,导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。,绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。,半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。,一、导体、半导体和绝缘体,PNJunction,半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：,当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。,往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力和内部结构发生变化。,完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体,将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。,价电子

4、,共价键,图 1.1.1本征半导体结构示意图,二、本征半导体的晶体结构,当温度 T=0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。,图 1.1.2本征半导体中的 自由电子和空穴,自由电子,空穴,若 T，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位空穴。,T,自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。,空穴可看成带正电的载流子。,三、本征半导体中的两种载流子,（动画1-1）,（动画1-2）,四、本征半导体中载流子的浓度,在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。,本征半导体中载流子的浓度公式：,T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴

5、浓度:n=p=1.431010/cm3,本征锗的电子和空穴浓度:n=p=2.381013/cm3,ni=pi=K1T3/2 e-EGO/(2KT),本征激发(见动画),复合,动态平衡,1.半导体中两种载流子,2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子-空穴对。,3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni=pi。,4.由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。,5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。,小结,1.1.2杂质半导体,杂质半导体有两种,

6、N 型半导体,P 型半导体,一、N 型半导体(Negative),在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导体)。,常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。,本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。,5 价杂质原子称为施主原子。,自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。,二、P 型半导体,在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。,空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。,3 价杂质原子称为受主原子。,受主原子,空穴,图 1.1.4P 型半导体,说明：,1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。,3.杂质半导体总体上保持电中性。,4.杂质半导体的表示方法如下图所示。,2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改