电磁屏蔽技术解析课件.ppt

时间:2022-10-16 作者:791650988

电磁学教学第4章课件.ppt

1,第三章 稳恒电流,1电流 电流密度2电源 电动势3复杂电路与基尔霍夫定律,1电流和电流密度2电流的连续性方程 3欧姆定律,焦耳定律4电源和电动势5含源电路的欧姆定律 6基尔霍夫定律,2,静电场中的导体处于静电平衡时,其内部的场强为零,内,

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1、第4章(2) 电磁屏蔽技术,屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计,第1页,共67页。,电磁屏蔽,屏蔽前的场强E1,屏蔽后的场强E2,对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB,第2页,共67页。,电磁屏蔽是解决电磁兼容问题的重要手段之一。 大部分电磁兼容问题都可以通过电磁屏蔽来解决。用电磁屏蔽的方法来解决电磁干扰问题的最大好处是不会影响电路的正常工作,因此不需要对电路做任何修改。 屏蔽体的有效性用屏蔽效能来度量。 屏蔽效能是没有屏蔽时空间某个位置的场强与有屏蔽时该位置的场强的比值,它表征了屏蔽体对电磁波的衰减程度。如果屏。

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第十六章,电磁转换复习课,要点考点聚焦,本章重点知识:磁体磁极之间的相互作用,磁场和它的方向地磁场磁感线通电螺线管的磁性及判定右手螺旋定则,电磁铁的磁性变化,电磁继电器工作原理,电磁感应现象及产生条件,磁场对电流的作用及其在直流电动机上的应,

2、蔽效能计算中使用的磁场,则称为磁场屏蔽效能,如果计算中用的是电场,则称为电场屏蔽效能。,第3页,共67页。,由于屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一至百万分之一,因此通常用分贝来表述。下表是衰减量与屏蔽效能的对应关系: 无屏蔽场强 :有屏蔽场强 屏蔽效能SE (dB) 10 : 1 20 100 : 1 40 1000 : 1 60 10000 : 1 80 100000 : 1 100 1000000 : 1 120 一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下,军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60B,TEMPEST设备的屏蔽机箱的屏蔽效要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到1。

3、00dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的,成本也很高。,第4页,共67页。,实心材料屏蔽效能的计算,入射波,场强,距离,吸收损耗A,R1,R2,SE R1 R2 AB, R AB,B,第5页,共67页。,波阻抗的概念,波阻抗,电场为主 E 1/ r3 H 1 / r2,磁场为主 H 1/ r3 E 1/ r2,平面波 E 1/ r H 1/ r,377,/ 2,到观测点距离 r,E/H,第6页,共67页。,吸收损耗的计算,t,入射电磁波E0,剩余电磁波E1,E1 = E0e-t/,A 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ) dB,0.37E0,A 8.69 。

4、( t / ) dB,A = 3.34 t f rr dB,第7页,共67页。,趋肤深度举例,第8页,共67页。,反射损耗,R 20 lg,ZW,4 Zs,反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越大。,ZS = 3.68 10-7 f r/r,远场:377,近场:取决于源的阻抗,同一种材料的阻抗随频率变,第9页,共67页。,不同电磁波的反射损耗,远场: R 20 lg,377,4 Zs,4500,Zs = 屏蔽体阻抗, D = 屏蔽体到源的距离(m)f = 电磁波的频率(MHz),2 D f,D f Zs,Zs,电场: R 20 lg,磁场: R 20 lg,dB,第10页,共67页。,。

5、影响反射损耗的因素,150,0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M,平面波,3 108 / 2r,f,R(dB),r = 30 m,电场r = 1 m,靠近辐射源,r = 30 m,磁场 r = 1 m,靠近辐射源,第11页,共67页。,综合屏蔽效能 (0.5mm铝板),150,250,平面波,0,0.1k 1k 10k 100k 1M 10M,高频时电磁波种类的影响很小,电场波 r = 0.5 m,磁场波 r = 0.5 m,屏蔽效能(dB),频率,第12页,共67页。,多次反射修正因子的计算,电磁波在屏蔽体内多次反射,会引起附加的电磁泄漏,因此要对前面的计算进行修正。B 。

6、= 20 lg ( 1 – e -2 t / ),说明: B为负值,其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时,可以忽略 对于电场波,可以忽略,第13页,共67页。,说明一:对于电场波,由于大部分能量在金属与空气的第一个界面反射,进入金属的能量已经很小,造成多次反射泄漏时,电磁波在屏蔽材料内已经传输了三个厚度的距离,其幅度往往已经小可以忽略的程度。说明二:对于磁场波,在第一个界面上,进入屏蔽材料的磁场强度是入射磁场强度的2倍,因此多次反射造成的影响是必须考虑的。说明三:当屏蔽材料的厚度较厚时,形成多次反射泄漏之前,电磁波在屏蔽材料内传输三个厚度的距离,衰减已经相当大,多次反射泄漏也可以忽略。,第14页,共67页。,怎样屏蔽低频磁场?,低频磁场,低频,磁场,吸收损耗小,反射损耗小,高导电材料,高导磁材料,高导电材料,第15页,共67页。,改善低频磁场屏蔽效能的方法:使用导磁率较高的材料,以增加吸收损耗。理由:对于磁场而言,反射损耗已经很小,主要是靠吸收损耗,吸收损耗的增加往往比反射损耗的减小幅度大,因此还是能够改善屏蔽效能的。改进的方法:为了能同时对电场和磁场有效的屏蔽,希望既。

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